WMO053NV8HGS 是維安（WAYON）推出的低壓 MOS 管產品，專為高效電源管理和快速開關場景設計。以下是其核心特性及行業(yè)應用介紹：

一、技術參數(shù)

1. 基礎規(guī)格

   • 封裝形式：TO-252 封裝，支持自動化貼裝，符合工業(yè)級可靠性標準。

   • 電壓與電流：漏源電壓（VDS）85V，最大連續(xù)漏極電流（ID）達 118A（25℃環(huán)境溫度下）。

   • 導通電阻：在 Vgs=10V 時，Rds(on) 最大值為 6.2mΩ，有效降低導通損耗。

   • 柵極驅動：支持 ±20V 的柵源電壓（Vgs），兼容主流驅動電路設計。

2. 性能優(yōu)勢

   • 采用 功率溝槽 MOSFET 技術，優(yōu)化了導通電阻與開關效率的平衡，適用于高頻開關場景。

   • 低閾值電壓（VGS(th) 典型值 3V），提升低功耗設備的能效表現(xiàn)。

二、應用場景

1. 電源管理

   • 適配器、充電器（如 PD 快充）、儲能系統(tǒng)（BMS）中的高效 DC-DC 轉換模塊。

   • 適用于 65W 及以上功率的快充方案，支持快速開關以減小體積。

2. 工業(yè)與消費電子

   • 電機驅動（如小功率電動工具、智能家居設備）的 H 橋電路。

   • 通信設備、LED 驅動等需高電流承載能力的場景。

三、供應鏈與選型支持

1. 供應保障

   • 代理商東莞市美瑞電子有限公司，提供現(xiàn)貨庫存及定制化采購服務。

   • 支持樣品申請，交期可縮短至 1 個工作日。

2. 配套型號推薦

   • 同系列互補型號：WMB053NV8HGS（PDFN5*6-8L 封裝）、WMK053NV8HGS（TO-220 封裝），適應不同布局需求。

   • 替代方案參考：WMQ30N03T2、WMB098N03LG2 等中低壓型號，滿足多樣化設計需求。

四、總結

WMO053NV8HGS 憑借高電流承載、低導通損耗及工業(yè)級可靠性，成為電源管理和電機驅動領域的優(yōu)選器件。