國產(chǎn)溝槽型碳化硅MOSFET正式問世,此次碳化硅溝槽型MOSFET芯片制造技術的突破不僅填補了我國在該領域的技術空白，更為相關產(chǎn)業(yè)帶來巨大的經(jīng)濟效益和技術提升。
2024-09-09東莞市美瑞電子有限公司，超結MOS（Super Junction MOSFET）產(chǎn)品中的099內(nèi)阻與070，038內(nèi)阻型號已實現(xiàn)大量出貨，標志著美瑞在大功率半導體領域的夯實一步。
2024-09-09本文為您介紹超結MOSFET的生產(chǎn)工藝，和應用。超結MOS作為一種創(chuàng)新的半導體器件技術，通過其獨特的超結結構設計，在降低導通電阻、提高開關速度、減小芯片體積、降低發(fā)熱和提升效率等方面展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。
2024-09-07電源EMI是電子產(chǎn)品設計和使用中必須考慮的重要因素之一。通過采取有效的抑制措施和合理的設計方法，可以顯著降低電源EMI對電子設備和系統(tǒng)的影響，提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。
2024-09-07900V MOSFET在高壓、高效率的應用中具有廣泛的用途，尤其適合工業(yè)電源、光伏逆變器、電動汽車充電器和LED驅(qū)動等領域。
2024-09-05Super Junction MOSFET 超結MOS是一種高壓功率器件，通常用于高效率的開關電源、逆變器、LED驅(qū)動器和工業(yè)電源等應用。
2024-09-05超結MOSFET適用于高壓、大功率應用，具有較低的導通損耗和較好的高壓性能。而氮化鎵器件則在高頻、高效的應用中表現(xiàn)出色，尤其適合快速開關和高頻電路。選擇哪種技術取決于具體的應用需求，如開關頻率、效率要求、成本等..
2024-09-02IGBT單管是一種性能優(yōu)異、結構簡單的電力控制器件，適用于多種電力控制領域。隨著技術的不斷進步和應用需求的不斷提高，IGBT單管的技術性能和應用范圍也將不斷得到提升和拓展。
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