陳星弼（1931—2019），中國(guó)科學(xué)院院士、教授、博導(dǎo)，1952年畢業(yè)于同濟(jì)大學(xué)電機(jī)系，畢業(yè)后在廈門(mén)大學(xué)電機(jī)系、南京工學(xué)院（現(xiàn)東南大學(xué)）無(wú)線電系擔(dān)任助教。1956年到成都電訊工程學(xué)院（現(xiàn)電子科技大學(xué)）任教。1..
2020-11-10一、導(dǎo)通壓力下降VF。VF是二極管正向?qū)〞r(shí)二極管兩端的壓降，通過(guò)二極管的電流越大，VF越大的二極管溫度越高，VF越小。 二、反飽和漏電流IR。IR是指在二極管兩端加入反向電壓時(shí)，流過(guò)二極管的電流，肖特基..
2020-11-07今天就來(lái)為大家講解一下肖特基二極管的應(yīng)用及優(yōu)點(diǎn)?！ ∫?、應(yīng)用 肖特基二極管的結(jié)構(gòu)和特性使其適用于低壓大電流輸出場(chǎng)合的高頻整流，甚高頻(如X波段、C波段、S波段、Ku波段)的檢測(cè)和混頻，以及高速邏輯電路..
2020-10-27今天我們就一起來(lái)講解一下肖特基二極管的優(yōu)點(diǎn)。 一、由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度，其正向?qū)ㄩT(mén)限電壓及正向壓降均小于PN結(jié)二極管(約低0.2V)。 二、由于肖特基二極管是一種多載流子導(dǎo)電器件，因此..
2020-10-21今天就為大家講解一下碳化硅二極管的應(yīng)用領(lǐng)域及優(yōu)勢(shì)?！ ∫?、太陽(yáng)能逆變器?！ √蓟瓒O管是太陽(yáng)能發(fā)電用二極管的基本原材料，碳化硅二極管在各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)上都優(yōu)于普通雙極二極管技術(shù)。碳化硅二極管的通斷狀態(tài)切換速度..
2020-10-15CoolMOS的使用是一個(gè)趨勢(shì)，因?yàn)槠矫鍹OS已經(jīng)不能滿足電源的效率溫度等需求。CoolMOS的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)1.導(dǎo)通阻抗小，導(dǎo)通損耗小由于SJ-MOS的Rdson遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于VDMOS，在系統(tǒng)電源類(lèi)產(chǎn)品中SJ-MOS的..
2020-10-08肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘管（SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半..
2020-09-30Coolmos過(guò)EMI電磁干擾的控制手段SEMIHOW利用多層外延工藝實(shí)現(xiàn)的COOLMOS產(chǎn)品助力工程師對(duì)產(chǎn)品的小型化設(shè)計(jì),并解決EMI,EMC測(cè)試不好通過(guò)的問(wèn)題。多層外延工藝，通過(guò)優(yōu)化內(nèi)部的電容和電阻來(lái)減少E..
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